2N5484
| ||||
2N5484. Transistor de efecto de campo diseñado para ser utilizado como amplificador y mezclador de señales de radio frecuencia.
Descripción
2N5484 es un transistor de propósito general J-FET canal N, fabricado de silicio y diseñado para ser utilizado en aplicaciones como amplificador de alto rendimiento y mezclador de señales de radio frecuencia (RF), funciona muy bien en los rangos de frecuencia VHF y UHF, además de ofrecer una alta ganancia (Gps 13 dB a 400 MHz), alta calidad de amplificación y capacidad de conmutación de alta velocidad.
Principales características
- Voltaje compuerta drenaje (VGD): 25V
- Voltaje compuerta fuente (VGS): 25V
- Corriente de drenaje (ID): 30mA
- Corriente de compuerta (IG):10mA
- Potencia de disipación (PD):350mW
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1pF
- Resistencia drenaje fuente (RDS(on)): 100Ω
- Temperatura de operación de la unión (Tj): -55 a 150ºC
- Encapsulado: TO-92
- Sustituto: NTE415
Aplicaciones
Dentro de las muchas aplicaciones de este dispositivo tenemos: Amplificador mezclador y oscilador de alta frecuencia e interruptores de capacitancia muy baja.
Enlaces externos
- Technical Information - Vishay 2N5484 Datasheet. Consultado: 10 de enero de 2020.
- 2N5484 Datasheet Rev.B. Consultado: 10 de enero de 2020.
- 2N5484 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características. Consultado: 10 de enero de 2020.
Fuentes
- Semiconductors: From Book to Breadboard. Kevin McGowan. Cengage Learning, 2012.
- Prácticas de electrónica. Paul B. Zbar, Albert Paul Malvino, Michael A. Miller. Marcombo, 2001
