2SB772
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2SB772 es un transistor PNP de baja tensión y potencia media utilizado en gran variedad de aplicaciones en el campo de la electrónica.
Descripción
2SB772 es un transistor PNP de baja tensión y potencia media, fabricado de silicio mediante tecnología planar que da como resultado dispositivos robustos y de alto rendimiento, entre sus características tenemos: baja tensión de saturación, salida de corriente de hasta 3A y 12.5Watts de disipación de energía. Este dispositivo se suministra en varios tipos de encapsulados: TO-126, TO-126C, TO-92NL, TO-251 y TO-252. Su par complementario es el transistor NPN 2SD882.
Principales características
Tensión colector base (Vcb): 60V
Tensión emisor colector (Vce): 30V
Tensión emisor base (Veb): 5V
Corriente de colector (Ic): 3ª
Rango de temperatura de trabajo (Tstg): -65 a 150ºC
2SB772 puede ser reemplazado por: BD132, BD186, BD188, BD190, KSB772, KSH772, MJE232, MJE235 y MJE370.
Aplicaciones
Este dispositivo electrónico diseñado para ser utilizado en amplificadores de potencia de audio, convertidores CD-CD y reguladores de voltaje.
Enlaces externos
https://www.datasheetspdf.com/datasheet/search.php?sWord=2sb772
http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/33369/UTC/2SB772.html
https://www.el-component.com/bipolar-transistors/2sb772
https://www.newark.com/stmicroelectronics/2sb772/transistor/dp/38M2093
Fuente
Bipolar Power Transistor Data. Motorola, 1987
Semicon Indexes. Semicon Indexes, 1996
James Roland.How Transistors Work. Lerner Publications, 2016