BLF147
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BLF147 es un transistor NPN que se utiliza principalmente para aplicaciones industriales y militares en el rango de frecuencias de HF y VHF.
Descripción
BLF147 es un transistor NPN mejorado fabricado de silicio con tegnología D-MOS, encapsulado en un paquete de bridas SOT-121B de cuatro derivaciones con una tapa de cerámica, cada derivación se encuentra aislada de la brida. El dispositivo se caracteriza por su alta ganancia de potencia, baja distorción de intermodulación y buena estabilidad térmica.
Este dispositivo contiene óxido de berilio (BeO), hay que ser muy cuidadoso a la hora de manipularlo para que no se dañe el encapsulado protector del transistor, después de su uso, debe desecharse como residuo químico.
Principales características
Tensión drenaje fuente (VDS): 65V
Tensión puerta fuente (±VGS): 20V
Corriente continúa de drenaje (ID): 25A
Potencia de disipación máxima (Ptot): 220W
Rango de temperatura de trabajo (Tstg): -65 a 150 ºC
Corriente de fuga drenaje fuente máxima (IDSS): 5mA
Corriente de fuga puerta fuente máxima (IGSS): 1µA
Capacitancia de entrada (Cis): 450pF
Capacitancia de salida (Cos): 360pF
Aplicaciones
Este transistor se usa principalmente en aplicaciones industriales y militares en el rango de frecuencias de HF y VHF.
Enlaces externos
https://www.digchip.com/datasheets/parts/datasheet/364/BLF147.php
https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=9551
https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=9551
Fuente
Amateur Radio, Volumen 57,Números 1-6. CQ Publishing, 2001
Electronic Engineers Master Catalog: EEM., Volumen 1. United Technical Publications, 1993
