CA3600E
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CA3600E es una matriz de transistores de efecto de campo MOS de simetría complementaria alojados encapsulado de tipo DIL-14.
Descripción
CA3600E es una matriz de transistores de efecto de campo MOS de simetría complementaria en un sustrato monolítico de silicio, se compone de tres transistores de tipo NPN y tres transistores de tipo PNP, estos transistores son especialmente adecuados para ser utilizados en circuitos de simetría complementaria con voltajes de suministro en el rango de 3 a 1 5 voltios y son útiles en frecuencias de hasta 5 MHz, cada transistor en el CA3600E puede conducir corrientes de hasta 10 mA. Su encapsulado es plástico de tipo DIL-14.
Principales características
Los transistores MOS individuales tienen características de ley cuadrada, un rendimiento superior de modulación cruzada y un rango dinámico mayor que los transistores bipolares.
Alta resistencia de entrada 100 GΩ (típicos)
Baja corriente del terminal de puerta: 10 µA (típicos)
Voltaje diferencial de de puerta (Id = -100 µA) ± 20mV (máximo)
Características de transferencia estables sobre un rango de temperatura de funcionamiento de - 55 a + 125°C
Temperatura de soldadura en 10 segundos: 265 °C
Aplicaciones
Dentro de la gran variedad de aplicaciones de este dispositivo electrónico tenemos: amplificadores de uso general, preamplificadores, amplificadores diferenciales, amplificadores operacionales y comparadores, fuentes de corriente constante, osciladores, control de lámparas LED, relés, temporizadores y mezcladores.
Enlaces externos
https://datasheet4u.com/datasheet-pdf/ETC/CA3600/pdf.php?id=534819
https://datasheetspdf.com/pdf/534819/ETC/CA3600/1
Fuente
The Electronic Engineer: EE., Volumen 33. Chilton Company, 1974
Linear Integrated Circuits and MOS/FET's. RCA Solid State., 1978
