IRF3205S/L
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MOSFET de potencia International Rectificador utilizan técnicas de procesamiento avanzadas.
Descripcion
MOSFET de potencia International Rectificador utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr extremadamente baja resistencia por unidad de superficie de silicio. este beneficio, combinada con la velocidad de conmutación rápido y el diseño de dispositivos robustos que los MOSFET de potencia HEXFET Son bien conocidos por, proporciona al diseñador un extremadamente dispositivo eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete TO-220 es universalmente preferible para todos aplicaciones comerciales e industriales en la disipación de energía niveles de aproximadamente 50 vatios. La baja térmica resistencia y bajo costo del paquete TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria
Principales características
- Tipo de FET: MOSFET
- Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
- Disipación total del dispositivo (Pd): 150
- Tensión drenaje-fuente (Uds): 55
- Tensión compuerta-fuente (Ugs): 10
- Corriente continua de drenaje (Id): 98
- Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150
