IRF7317
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IRF7317 es un par de transistores MOSFET canal N y canal P alojados en un mismo encapsulado de tipo SO-8.
Descripción
IRF7317 es un transistor MOSFET de silicio de quinta generación, para montaje superficial de doble canal N y P, donde se utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de activación extremadamente baja por área de silicio, este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por lo que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, le brindan al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. Su encapsulado es de tipo SO-8 modificado y personalizado para mejorar las características térmicas, haciéndolo ideal en una gran variedad de aplicaciones de potencia con un espacio de placa de montaje considerablemente reducido.
Principales características
Disipación total del dispositivo (PD): 2W
Tensión drenaje fuente (VDS): 20V canal N, -20V canal P
Tensión puerta fuente (VGS): ±12V
Corriente continua de drenaje (ID): 6.6A canal N, -5.3 A canal P
Resistencia drenaje fuente RDS(on): 0.029Ω canal N, -0.058Ω canal P
Aplicaciones
Dentro del amplio campo de aplicación de este dispositivo tenemos: circuitos de conmutación de potencia, mescladores de frecuencia de doble puerta, sistemas de iluminación, reguladores de voltaje y módulos de conmutación para sistemas fotovoltaicos.
Enlaces externos
https://www.infineon.com/dgdl/irf7317.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5b24d1b3b
https://alltransistors.com/mosfet/transistor.php?transistor=13593
http://www.ges.cz/sheets/i/irf7317.pdf
https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=13593