IRFP254 |
|---|
| | Conectado a: | A otros componentes electrónicos |
|
IRFP254. Transistor de potencia de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado en controladores de motor conmutación de alta corriente y alta velocidad, Fuentes de alimentación de modo conmutado (smps).
Partes que lo componen
- Fuente (S, Source)
- Drenador (D, Drain)
- Puerta (G, Gate)
Características
- Material: metal-óxido-semiconductor
- Polaridad: canal N
- Encapsulado: TO247
- Conmutador de Potencia
- Corriente de Drenador Ic: 22 Ampere
- Voltaje máximo drenador-fuente (Uds): 250 Voltios
- Temperatura máxima de la unión (Tj): 150 °C:
- Máxima disipación de potencia (Pd): 150 Watt
- Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 0.14
Usos y aplicaciones
- Conmutación de alta corriente y alta velocidad
- Convertidores DC-AC para equipos de soldadura
Fuentes
