IRFP460
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IRFP460. Transistor de potencia de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado en conmutadores fuera de línea, Fuentes de alimentación, T.V, fuentes de alimentación del monitor de la computadora, convertidores, control de motores, circuitos y fines generales ,aplicaciones de conmutación.
Partes que lo componen
- Fuente (S, Source)
- Drenador (D, Drain)
- Puerta (G, Gate)
Características
- Material: metal-óxido-semiconductor
- Polaridad: canal N
- Encapsulado: TO 247
- Conmutador de Potencia
- Corriente de drenador Ic: 20 Ampere
- Voltaje máximo drenador - fuente (Uds): 500 Voltios
- Voltaje máximo fuente-puerta (Ugs): 10 Voltios
- Temperatura máxima de la unión (Tj): °C: 150
- Máxima disipación de potencia (Pd): 280 Watt
Usos y aplicaciones
- Circuitos de conmutación de potencia de alta velocidad
- Convertidores
