IRFZ10

MOSFET IRFZ10
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Componente electrónico utilizado en circuitos de conmutación.

MOSFET IRFZ10. Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de rápida conmutación.

Descripción

Este tipo de componente de tercera generación HEXFETs es fabricado por la International Rectifier entre otros, proporciona una mejor combinación de conmutación rápida, robusto, baja resistencia y costo-efectividad. Un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Su encapsulado TO-220 es universalmente preferido por todos los comerciantes e industrias en las aplicaciones de disipación de energía en niveles de alrededor de 50 vatios. La baja conductividad térmica, resistencia y bajo costo del encapsulado TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria. Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta.


Principales características

Características Valor
Voltaje Drenador Surtidor (VDSS) 60V
Corriente de Drenador (ID) 10 A
Resistencia Estática Drenador Surtidor (R DS (ON)) 0.20Ω Máx
Potencia Total de Disipación ( PD) 43W

Fabricantes

Fabricantes Logo
International Rectifier
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New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
New Jersey Semi-Conductor Products,Inc..GIF
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix.GIF

Aplicaciones

Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:

Enlaces externos

Fuentes