Irf820

IRF820
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IRF820. Transistor de potencia de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado en conmutación de alta corriente y alta velocidad, fuentes de alimentación de modo conmutado (smps), convertidores DC-AC para equipos de soldadura y fuentes de alimentación ininterrumpida y controladores de motor.

Partes que lo componen

  • Fuente (S, Source)
  • Drenador (D, Drain)
  • Puerta (G, Gate)

Características

  • Material: metal-óxido-semiconductor
  • Polaridad: canal N
  • Encapsulado: TO220
  • Conmutador de Potencia
  • Corriente de drenador Ic: 3 Ampere
  • Voltaje máximo drenador - fuente (Uds): 500 Voltios
  • Voltaje máximo fuente-puerta (Ugs): 20 Voltios
  • Temperatura máxima de la unión (Tj): °C: 150
  • Máxima disipación de potencia (Pd): 75 Watt


Usos y aplicaciones

  • Conmutación de alta corriente y alta velocidad
  • Convertidores DC-AC para equipos de soldadura

Fuentes