LM3086
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LM3086 es una matriz de transistores NPN alojados en un mismo encapsulado de tipo DIL-14, de uso general en todos los tipos de sistemas de procesamiento de señales.
Descripción
LM3086 es un circuito integrado que consta de cinco transistores (matriz de transistores) NPN de uso general fabricados de silicio, montados sobre un sustrato monolítico común en un encapsulado de tipo DIL-14. Dos de estos transistores (Q1 y Q2) están conectados internamente formando un par diferencial. Los transistores son adecuados para una amplia variedad de aplicaciones en sistemas de baja potencia en el rango de corriente directa a VHF.
El colector de cada transistor está aislado del sustrato por un diodo integrado, el sustrato (terminal 13) que debe estar conectado al punto más negativo del circuito externo para mantener el aislamiento entre los transistores y así proporcionarle un funcionamiento normal.
Principales características
Voltaje colector emisor (Vce0): 15V
Voltaje colector base (Vcb0): 20V
Voltaje colector sustrato (Vci0): 20V
Voltaje emisor base (Veb0): 5V
Corriente de colector (Ic): 50mA
Rango de temperatura de trabajo: -40 a 85 ºC
Operación desde corriente directa: 120 MHz
Temperatura de soldadura en 10 segundos: 260 ºC
Bajo nivel de ruido 3,25 dB típico a 1 kHz de frecuencia
Aplicaciones
De uso general en todos los tipos de sistemas de procesamiento de señales que operan en cualquier lugar en el rango de frecuencia de corriente directa a VHF, en diseños de amplificadores diferenciales, en amplificadores compensados por temperatura, equipamientos industriales, de oficinas, del hogar y de diversión, además pueden ser utilizados como transistores discretos en circuitos convencionales.
Enlaces externos
http://www.mit.edu/~6.301/LM3086.pdf
https://www.digchip.com/datasheets/parts/datasheet/321/LM3086.php
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/8837/NSC/LM3086N.html
Fuente
Electronic Devices and Circuits: Discrete and Integrated. Denton J. Dailey. Prentice Hall, 2001
National Operational Amplifiers Databook. National Semiconductor Corporation, 1995