MMDF2P01HD
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MMDF2P01HD es un doble Mosfet canal P miniaturizado diseñado para el montaje superficial.
Descripción
MMDF2P01HD es un doble Mosfet canal P en miniatura diseñado para el montaje superficial, su RDS(on) es ultrabaja con un verdadero rendimiento de nivel lógico, es capaz de resistir alta energía en los modos de avalancha y conmutación, el diodo de drenaje a fuente tiene un tiempo de recuperación inverso muy bajo. Su encapsulado es de tipo SO-8.
Principales características
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V
- Voltaje de drenaje a puerta (Rgs = 1.0 M Ω) (Vdgr): 12V
- Voltaje de puerta a fuente continuo (Vgs): ±8.0V
- Drenaje de corriente: continuo a Ta = 25°C (Id): 3.4A
- Disipación total de energía a Ta = 25°C (Pd): 2W
- Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento: -55 a 150°C
- Temperatura de soldadura en 10 segundos (Tl): 260°C
Aplicaciones
Este dispositivo está diseñado para su uso en baja tensión y alta velocidad de conmutación en aplicaciones donde la eficiencia energética es importante. Sus aplicaciones típicas son convertidores de corriente continúa y administración de energía en portátiles y productos que funcionan con baterías, como computadoras, impresoras, celulares y teléfonos inalámbricos, también se puede utilizar para controles de motores de bajo voltaje en aparatos de almacenamiento masivo como unidades de disco y unidades de cinta.
Enlaces externos
Fuente
- Power MOSFETs, ON Semiconductor, Apr-2001
