MOSFET ARF521
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ARF521. Es un transistor MOSFET canal N, con una amplia gama de aplicaciones en el mundo de la electrónica.
Descripción
ARF521 es un transistor MOSFET canal N, de potencia de RFdiseñado por la firma de componentes electrónicos Microsemi, para el funcionamiento en alta tensión y en un ancho de banda de VHF; banda estrecha para instrumentos médicos y científicos y amplificadores de potencia de imágenes por resonancia magnética (MRI) hasta 150 MHz. El dispositivo se suministra en un encapsulado de tipo 5” SOE
Principales características
Voltaje drenaje fuente: 500 V (VDS)
Voltaje puerta fuente: ± 30 V (VGS)
Corriente continúa de drenaje: 10 A (ID)
Potencia de disipación: 250 W (Pd)
Temperatura operativa máxima: -55 a 170 ºC (Tj)
Potencia de salida: 150 W (Pout)
Ganancia: 13 dB en la clase AB
Eficiencia: 50 %
Aplicaciones
Se utiliza ampliamente para excitadores de generación de plasma, láser de CO2, equipos de resonancia magnéticamédica y una amplia variedad de equipos de comunicaciones HF / VHF como amplificadores lineales de banda ancha.
Enlaces externos
http://html.alldatasheet.es/html-pdf/337337/MICROSEMI/ARF521/485/1/ARF521.html
Fuente
Ruiz Robredo Gustavo A. Electrónica Básica para Ingenieros. Formato digital.
Boylestad, Nashelsky. Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. EU: Pearson, 2003.
The Illustrated Dictionary of Electronics. Eighth Edition.Stan Gibilisco. Editor-in-Chief. McGraw-Hill.
