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Transistor 2N
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2N. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.
En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos.
Características
- Polaridad (N-P-N)
- RF-IF Amp and OSC
- Corriente máxima de colector (Ic) 0.05 Ampere
- De colector a base (CBO) 30 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 15 Voltios
- De emisor a base (EBO) 3 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 20 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 0.625 (Watts)
- Frecuencia MHz 600 Min
Usos
- Este transistor posee un amplio uso en equipos de medicina, amplificadores de potencia media, equipos informáticos, la radio y otros aparatos electrónicos con fines comerciales.
Fuentes
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de Wikipedia.
