Transistor 2N1285

2N1285 Transistor. Conectado a: A otros componentes electrónicos. Fabricantes: Japón, China y otros países.

2N1285. Es un transistor bipolar, compuesto por germanio.

Partes que lo componen

Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.

En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos.

Características

• Polaridad (P-N-P)
• RF-IF Amp, TV, Radio
• Corriente máxima de colector (Ic) 0.01 Ampere
• De colector a base (CBO) 30 Voltios
• De colector a emisor (CEO) 20 Voltios
• De emisor a base (EBO) 0.3 Voltios
• Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 50 Min
• Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 0.06 (Watts)
• Frecuencia MHz 700 Min

Transistores equivalentes

• 2N1285, 2N1300, 2N1385, 2N1394, 2N1403, 2N1404A, 2N1405, 2N1638, 2N1639, 2N1665, 2N1670, 2N1678, 2N1727, 2N1728, 2N1742, 2N1745, 2N1746, 2N1747, 2N1748, 2N1749

Usos

• Este transistor posee un amplio uso en equipos de medicina, amplificadores de potencia media, equipos informáticos, la radio y otros aparatos electrónicos con fines comerciales.

Fuentes

• NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
• Imagen de Wikipedia.