Transistor 2N5070
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El Transistor 2N5070 está diseñado para el trabajo como amplificador lineal de alta potencia.
Descripción
2N5070 es un transistor NPN fabricado de silicio, su encapsulado es metálico de tipo TO-62, con el emisor conectado a la carcasa. Muy útil para aplicaciones de VHF de potencia en la gama de 2.0 a 75 Mhz. La imagen muestra la distribución de los pines de conexión.
Principales características
- Voltaje colector emisor: 30 V (Vceo)
- Voltaje colector base: 65 V (Vcbo)
- Voltaje emisor base: 4 V (Vebo)
- Corriente de colector máxima: 10 A (Ic)
- Transición de frecuencia: 100 Mhz (Ft)
- Potencia de disipación: 70 W (Ptot) a 25 ºC
Aplicaciones
Hornos de microondas.
Circuitos de accionamiento y control.
Enlaces externos
http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=2N5070
http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/ideias-dicas-e-informacoes-uteis/
Fuentes
Newton C. Braga. Colección Saber Electrónica. Circuitos e Información. Volumen VII.
