Transistor BC850C
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Transistoe BC850C . Es un transistor bipolar, compuesto por Silicio indicados para circuitos de todo tipo.
Composición del transistor
En su composición posee una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.
Características
- Material: Si
- La estructura de transistor: n-p-n
- Máxima disipación de potencia continua colector del transistor (Pc): 0,2W
- Limite el colector DC-base (Ucb): 50V
- Límite de colector-emisor del transistor de tensión (Uce): 45V
- Límite de tensión emisor-base (Ueb): 5V
- Máxima corriente continua de colector del transistor (Ic max): 0,1A
- Temperatura límite de unión pn (Tj): 150°C
- Frecuencia de corte de la relación de transferencia corriente del transistor (Ft): 300MHz
- Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf: 6
Usos
Son indicados para circuitos de todo tipo, amplificación en general, y en particular los de ruido ultra bajo son la opción idónea para fuentes de baja impedancia, como cápsulas MC, etc...
- Amplificadores de audio
- Equipos de medicina
- Equipos informáticos
Transistores equivalentes
BC 637, BC 639, 2SD667BC297-8, BC327-16 , BC327-25 , BC327AP ,BC327BP,BC327CP, BC327L, BC327P, BC337 , BC337-16, BC337-25,
Fuentes
- Transistor BC850C Disponible en la Web “http://www. alltransistors.com” Consultado: 27 de octubre de 2013.
