Transistor KT315A

KT315A
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Transistor kt315A.JPG
Conectado a:A otros componentes electrónicos.
Fabricantes:Bandera de Rusia Rusia

Transistor KT315A. Transistor bipolar de uso general, de baja potencia, construido a base de silicio.

Estructura

Está formado por tres cristales de silicio, dos de ellos con impurezas donadoras de electrones, que forman las zonas N y un cristal con impurezas aceptoras de electrones, que forma la zona P. El cristal de tipo P está colocado entre los dos cristales del tipo N. De cada uno de los cristales se extienden un electrodo al exterior del encapsulado, los que constituyen la base, el colector y el emisor.

Es un transistor de uso múltiple y de un amplio rango de frecuencia de trabajo.

Encapsulado


Características

  • Fabricante: Rusia
  • Polaridad: N-P-N
  • Corriente máxima de colector: 100 mA
  • Voltaje colector emisor máximo: 25 Voltios
  • Voltaje emisor base máximo: 6 Voltios
  • Frecuencia máxima: 250 MHz
  • Potencia colector máxima: 150 mW
  • Ganancia típica de la corriente directa (hfe): 20-90
  • Transistor complementario KT361


Usos

  • Transmisores de radio
  • Radio receptores
  • Amplificadores de audio
  • Equipos médicos
  • Amplificadores de audio


Fuentes

  • Manual del instrumentista. Editado por el Centro de Automatización Industrial. Cuba.
  • Transistores y diodos soviéticos. Libros y conferencias. Materia 10. La Habana.