Transistor hmje13007
| ||||
Transistor HMJE 13007 , es registrado por la UMC (Microelectronic Corporation) compañía con sucursal china dedicada a la construcción y desarrollo de componentes electrónicos. Este transistor de potencia, de polaridad NPN y ampliamente utilizado por su versatilidad, encuentra cabida en disímiles circuitos conmutadores, osciladores e incluso amplificadores, aunque en estos últimos es menos utilizados ya que no posee una alta ganancia.
Sumario
Descripción
Es un transistor de unión bipolar de potencia, destinado para propósito general en amplificación y conmutación, construido con semiconductor silicio. Puede manejar corrientes hasta de 8 A (amperios) a tensiones altas hasta de 700 v. puede utilizarse en configuraciones de trabajo para modo de amplificación de audiofrecuencia, pero sus características lo ubican usualmente en circuitos osciladores o de conmutación dentro de lámparas lumínicas, fuentes de corriente etc.
Principales características
- Voltaje colector emisor 700 V (Vceo)
- Voltaje emisor base 9 V (Vceo)
- Corriente de colector constante 8 A (IC)
- Corriente de base constante 4 A (IB)
- Potencia total disipada 80 W (Pd)
- temperatura de trabajo -50 a +150 grados centígrados
- Ganancia o hfe entre 6 -10 (hfe)
- Estructura NPN
Principal fabricante
Aplicaciones
- Radiofrecuencia
- Aplicaciones de conmutación
- Aplicaciones en osciladores
Fuentes
http://html.alldatasheet.com/html-pdf/65128/HSMC/HMJE13007/83/1/HMJE13007.html
