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| − | Voltaje compuerta drenaje (VGD): 25V | + | * Voltaje compuerta drenaje (VGD): 25V |
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| − | Voltaje compuerta fuente (VGS): 25V | + | * Corriente de drenaje (ID): 30mA |
| − | + | * Corriente de compuerta (IG):10mA | |
| − | Corriente de drenaje (ID): 30mA | + | * Potencia de disipación (PD):350mW |
| − | + | * Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1pF | |
| − | Corriente de compuerta (IG):10mA | + | * Resistencia drenaje fuente (RDS(on)): 100Ω |
| − | + | * Temperatura de operación de la unión (Tj): -55 a 150ºC | |
| − | Potencia de disipación (PD):350mW | + | * Encapsulado: TO-92 |
| − | + | * Sustituto: NTE415 | |
| − | Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1pF | ||
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| − | Resistencia drenaje fuente (RDS(on)): 100Ω | ||
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| − | Temperatura de operación de la unión (Tj): -55 a 150ºC | ||
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==Enlaces externos== | ==Enlaces externos== | ||
| − | https://www.futurlec.com/Transistors/2N5484.shtml | + | * [https://www.futurlec.com/Transistors/2N5484.shtml Technical Information - Vishay 2N5484 Datasheet]. Consultado: 10 de enero de 2020. |
| − | + | * [http://www.calogic.net/pdf/2N5484_Datasheet_Rev_B.pdf 2N5484 Datasheet Rev.B]. Consultado: 10 de enero de 2020. | |
| − | http://www.calogic.net/pdf/2N5484_Datasheet_Rev_B.pdf | + | * [https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=11 2N5484 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características]. Consultado: 10 de enero de 2020. |
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| − | https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=11 | ||
| − | == | + | == Fuentes == |
| − | Semiconductors: From Book to Breadboard. Kevin McGowan. Cengage Learning, 2012. | + | * Semiconductors: From Book to Breadboard. Kevin McGowan. Cengage Learning, 2012. |
| − | Prácticas de electrónica. Paul B. Zbar, Albert Paul Malvino, Michael A. Miller. Marcombo, 2001 | + | * Prácticas de electrónica. Paul B. Zbar, Albert Paul Malvino, Michael A. Miller. Marcombo, 2001 |
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última versión al 22:01 10 ene 2020
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2N5484. Transistor de efecto de campo diseñado para ser utilizado como amplificador y mezclador de señales de radio frecuencia.
Descripción
2N5484 es un transistor de propósito general J-FET canal N, fabricado de silicio y diseñado para ser utilizado en aplicaciones como amplificador de alto rendimiento y mezclador de señales de radio frecuencia (RF), funciona muy bien en los rangos de frecuencia VHF y UHF, además de ofrecer una alta ganancia (Gps 13 dB a 400 MHz), alta calidad de amplificación y capacidad de conmutación de alta velocidad.
Principales características
- Voltaje compuerta drenaje (VGD): 25V
- Voltaje compuerta fuente (VGS): 25V
- Corriente de drenaje (ID): 30mA
- Corriente de compuerta (IG):10mA
- Potencia de disipación (PD):350mW
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1pF
- Resistencia drenaje fuente (RDS(on)): 100Ω
- Temperatura de operación de la unión (Tj): -55 a 150ºC
- Encapsulado: TO-92
- Sustituto: NTE415
Aplicaciones
Dentro de las muchas aplicaciones de este dispositivo tenemos: Amplificador mezclador y oscilador de alta frecuencia e interruptores de capacitancia muy baja.
Enlaces externos
- Technical Information - Vishay 2N5484 Datasheet. Consultado: 10 de enero de 2020.
- 2N5484 Datasheet Rev.B. Consultado: 10 de enero de 2020.
- 2N5484 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características. Consultado: 10 de enero de 2020.
Fuentes
- Semiconductors: From Book to Breadboard. Kevin McGowan. Cengage Learning, 2012.
- Prácticas de electrónica. Paul B. Zbar, Albert Paul Malvino, Michael A. Miller. Marcombo, 2001
