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| − | Electronic Design. Hayden Publishing Company, 2007 | ||
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IRF6631. Transistor MOSFET, con una amplia gama de aplicaciones en el mundo de la electrónica.
Descripción
IRF6631 es un transistor Mosfet canal N, componente electrónico presentado por la firma International Rectifier en el año 2007, en su diseño utiliza la tecnología de empaquetado DirectFET patentada por dicha firma, es una técnica de encapsulamiento de MOSFET de potencia de montaje superficial (SMD), diseñado para lograr un enfriamiento superior al ofrecido por las tecnologías tradicionales de encapsulado, como el SO-8, por su diseño permite una reducción de hasta un 5 % del tamaño de los proyectos electrónicos en los que se utiliza.
Además, los dispositivos con el encapsulado DirectFET cumplen la directiva 2002/95/CE de restricción de ciertas sustancias peligrosas en aparatos eléctricos y electrónicos (RoHS), fue adoptada en febrero de 2003 por la Unión Europea.
Principales características
- Voltaje drenaje fuente (VDS): 30 V
- Voltaje puerta drenaje (VGS): ± 20 V
- Corriente de avalancha (IAR): 20 A
- Carga total de puerta (Qg): 30 nC
- Potencia de disipación (PD): 89 W
- Capacidad de entrada (Ciss): 3770 pF
- Capacidad de salida (Coss): 810 pF
Aplicaciones
Dentro de las principales aplicaciones de este componente dado su reducido tamaño y eficiencia tenemos: fuentes de notebooks, computadoras de escritorio, en las telecomunicaciones y equipamientos de uso general
Enlaces externos
- http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/novos-componentes/8311-irf6638-e-irf6631-mosfets-de-30-v-com507
- http://www.el-component.com/transistor-mosfet/irf6638.html
- http://www.irf.com/part/_/A~IRF6638
Fuentes
- Electronic Design. Hayden Publishing Company, 2007
- Electrical Design News, Volumen 51, Números 21-23. Rogers Publishing Company, 2006
