Diferencia entre revisiones de «Leo Esaki»
(Página creada con '{{Ficha Persona |nombre = Leo Esaki |nombre completo = Leo Esaki |otros nombres = Esaki Reona <br> Esaki Leona |imagen = Leo_Esaki.jpg |descripción = |fecha de nacimiento = ...') |
(→Síntesis biográfica) |
||
| Línea 38: | Línea 38: | ||
Nació en [[Osaka]] en [[1925]], estudió en la [[Universidad de Tokio]], donde se doctoró en [[1959]]. Su principal trabajo desarrollado en la empresa [[Sony]], fue la creación del [[Diodo de Efecto Túnel]], que permite el paso de corriente en condiciones aparentemente de cierre, lo que equivale a la presencia de una resistencia negativa. Este diodo tiene múltiples aplicaciones en el campo de la electrónica. | Nació en [[Osaka]] en [[1925]], estudió en la [[Universidad de Tokio]], donde se doctoró en [[1959]]. Su principal trabajo desarrollado en la empresa [[Sony]], fue la creación del [[Diodo de Efecto Túnel]], que permite el paso de corriente en condiciones aparentemente de cierre, lo que equivale a la presencia de una resistencia negativa. Este diodo tiene múltiples aplicaciones en el campo de la electrónica. | ||
| − | Se trasladó a [[Estados Unidos]] en [[1960]] para trabajar en la compañía [[IBM]] donde obtuvo en [[1967]] la categoría de [[IBM Fellow]], honor con el que | + | Se trasladó a [[Estados Unidos]] en [[1960]] para trabajar en la compañía [[IBM]] donde obtuvo en [[1967]] la categoría de [[IBM Fellow]], honor con el que recompensa a sus científicos más creativos. |
== Premios y Reconocimientos == | == Premios y Reconocimientos == | ||
Revisión del 08:31 23 nov 2011
| ||||||||||||||||||||||
Leo Esaki (1925), Físico Japonés. Investigador de estado sólido en superconductividad, obtuvo el premio Nobel en 1973 por la creación del Diodo de Efecto Túnel.
Síntesis biográfica
Nació en Osaka en 1925, estudió en la Universidad de Tokio, donde se doctoró en 1959. Su principal trabajo desarrollado en la empresa Sony, fue la creación del Diodo de Efecto Túnel, que permite el paso de corriente en condiciones aparentemente de cierre, lo que equivale a la presencia de una resistencia negativa. Este diodo tiene múltiples aplicaciones en el campo de la electrónica.
Se trasladó a Estados Unidos en 1960 para trabajar en la compañía IBM donde obtuvo en 1967 la categoría de IBM Fellow, honor con el que recompensa a sus científicos más creativos.
Premios y Reconocimientos
En 1973 recibió el Premio Nobel de Física, compartido con I. Giaever y B. Josephson.
Tambien se le otorgaron los siguientes premios.
El Premio Nishina Memorial (1959),
El Premio Asahi Press (1960),
El Toyo Rayón, Premio de la Fundación para la Promoción de Ciencia y Tecnología (1960),
El Morris Liebmann del IRE (1961),
La Medalla de Honor del Instituto Franklin (1961),
El premio de la Academia de Ciencias de Japón (1965),
La Orden de Cultura del Gobierno de Japón (1974) y
El de la Sociedad Americana de Física (1985).
Obras
L. Esaki y R. Tsu, "Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors", IBM Journal of Research and Development, vol. 14, no. 1 (January 1970), pp. 61-65.
Leo Esaki y Giovanni Soncini: Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on "Large Scale Integrated Circuits Technology: State of the Art and Prospects", Erice, Italia, 1981.
Fuentes
- Premios Nobel de Física, Editorial Sanlope, Las Tunas, Cuba, 2006. ISBN: 959-251-137-3
- Biografías y Vidas consultado el 22 de noviembre de 2011.
- Biografía de Leo Esaki consultado el 22 de noviembre de 2011.
