MMDF2P01HD

MMDF2P01HD

MMDF2P01HD es un doble Mosfet canal P miniaturizado diseñado para el montaje superficial.

Descripción

MMDF2P01HD es un doble Mosfet canal P en miniatura diseñado para el montaje superficial, su RDS(on) es ultrabaja con un verdadero rendimiento de nivel lógico, es capaz de resistir alta energía en los modos de avalancha y conmutación, el diodo de drenaje a fuente tiene un tiempo de recuperación inverso muy bajo. Su encapsulado es de tipo SO-8.

Principales características

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V

Voltaje de drenaje a puerta (Rgs = 1.0 M Ω) (Vdgr): 12V

Voltaje de puerta a fuente continuo (Vgs): ±8.0V

Drenaje de corriente: continuo a Ta = 25°C (Id): 3.4A

Disipación total de energía a Ta = 25°C (Pd): 2W

Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento: -55 a 150°C

Temperatura de soldadura en 10 segundos (Tl): 260°C

Aplicaciones

Este dispositivo está diseñado para su uso en baja tensión y alta velocidad de conmutación en aplicaciones donde la eficiencia energética es importante. Sus aplicaciones típicas son convertidores de corriente continúa y administración de energía en portátiles y productos que funcionan con baterías, como computadoras, impresoras, celulares y teléfonos inalámbricos, también se puede utilizar para controles de motores de bajo voltaje en aparatos de almacenamiento masivo como unidades de disco y unidades de cinta.

Enlaces externos

https://datasheetspdf.com/pdf/457679/Motorola/MMDF2P01HD/1

https://www.digchip.com/datasheets/parts/datasheet/343/MMDF2P01HD.php

https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/4968/MOTOROLA/MMDF2P01HD.html

Fuente

Power MOSFETs, ON Semiconductor, Apr-2001