Diferencia entre revisiones de «BTW67-1000»

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Discrete Semiconductors: Suggested replacements, Volumen 18,Parte 1999. D.A.T.A. Business Pub., 1999.
 
Discrete Semiconductors: Suggested replacements, Volumen 18,Parte 1999. D.A.T.A. Business Pub., 1999.
  
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Revisión del 01:07 1 mar 2021

BTW67-1000
Información sobre la plantilla
BTW67-1000.jpg

BTW67-1000 es un SCR rectificador controlado de silicio adecuado para una serie de aplicaciones de control y conmutación de potencia.

Descripción

BTW67-1000 es un rectificador controlado de silicio (SCR) de 50A y 1000V desarrollado por la firma de componentes electrónicos STMicroelectronics, adecuado para aplicaciones donde el manejo y la disipación de energía sean críticos. Diseñado para el suministro de energía de hasta 400Hz en cargas resistivas o inductivas. Basado en una tecnología de ensamblaje de clips, ofrece un rendimiento superior en capacidades de manejo de sobre corriente. Su almohadilla de cerámica interna, proporciona un aislamiento de alto voltaje de 2500V (Vrms), cumpliendo con las normas estándares internacionales.

Principales características

Corriente de estado activo Rms (onda sinusoidal completa) (It(rms)): 50 A

Corriente en estado de pico de sobretensión no repetitiva (ciclo completo, Tj inicial = 25 °C) con tp =8.3 ms (Itsm): 610 A

Valor I2t para fusionar con tp=10ms: 1680 A2s

Corriente máxima de puerta (Igm): 8 A

Disipación de potencia media de puerta (PG(AV)): 1 W

Corriente máxima de disparo de puerta (Igt): 80 mA

Rango de temperatura de trabajo (Tstg): -40 a 150ºC

Voltaje pico inverso máximo de puerta (Vgrm): 5V

Encapsulado: RD91

Aplicaciones

Adecuados para una serie de aplicaciones de control y conmutación de potencia como: relés de estado sólido, equipos de soldadura y control de motores de alta potencia.

Enlaces externos

Fuente

Thyristor, D.A.T.A. book electronics information series. Derivation and Tabulation Associates, Incorporated, 1987.

Discrete Semiconductors: Suggested replacements, Volumen 18,Parte 1999. D.A.T.A. Business Pub., 1999.