Transistor hmje13007

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Transistor HMJE 13007
Información sobre la plantilla
HMJE13007.jpeg
Componente electrónico utilizado en aplicaciones de amplificación lineal y conmutación.

Transistor HMJE 13007 , es registrado por la UMC (Microelectronic Corporation) compañía con sucursal china dedicada a la construcción y desarrollo de componentes electrónicos. Este transistor de potencia, de polaridad NPN y ampliamente utilizado por su versatilidad, encuentra cabida en disímiles circuitos conmutadores, osciladores e incluso amplificadores, aunque en estos últimos es menos utilizados ya que no posee una alta ganancia.

= Descripción

Es un transistor de unión bipolar de potencia, destinado para propósito general en amplificación y conmutación, construido con semiconductor silicio. Puede manejar corrientes hasta de 8 A (amperios) a tensiones altas hasta de 700 v. puede utilizarse en configuraciones de trabajo para modo de amplificación de audiofrecuencia, pero sus características lo ubican usualmente en circuitos osciladores o de conmutación dentro de lámparas lumínicas, fuentes de corriente etc.

Principales características

  • Voltaje colector emisor 700 V (Vceo)
  • Voltaje emisor base 9 V (Vceo)
  • Corriente de colector constante 8 A (IC)
  • Corriente de base constante 4 A (IB)
  • Potencia total disipada 80 W (Pd)
  • temperatura de trabajo -50 a +150 grados centígrados
  • Ganancia o hfe entre 6 -10 (hfe)
  • Estructura NPN

Principal fabricante

Aplicaciones

Fuentes

http://html.alldatasheet.com/html-pdf/65128/HSMC/HMJE13007/83/1/HMJE13007.html