Transistor hmje13007
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Transistor HMJE 13007 , es registrado por la UMC (Microelectronic Corporation) compañía con sucursal china dedicada a la construcción y desarrollo de componentes electrónicos. Este transistor de potencia, de polaridad NPN y ampliamente utilizado por su versatilidad, encuentra cabida en disímiles circuitos conmutadores, osciladores e incluso amplificadores, aunque en estos últimos es menos utilizados ya que no posee una alta ganancia.
Sumario
= Descripción
Es un transistor de unión bipolar de potencia, destinado para propósito general en amplificación y conmutación, construido con semiconductor silicio. Puede manejar corrientes hasta de 8 A (amperios) a tensiones altas hasta de 700 v. puede utilizarse en configuraciones de trabajo para modo de amplificación de audiofrecuencia, pero sus características lo ubican usualmente en circuitos osciladores o de conmutación dentro de lámparas lumínicas, fuentes de corriente etc.
Principales características
- Voltaje colector emisor 700 V (Vceo)
- Voltaje emisor base 9 V (Vceo)
- Corriente de colector constante 8 A (IC)
- Corriente de base constante 4 A (IB)
- Potencia total disipada 80 W (Pd)
- temperatura de trabajo -50 a +150 grados centígrados
- Ganancia o hfe entre 6 -10 (hfe)
- Estructura NPN
Principal fabricante
Aplicaciones
- Radiofrecuencia
- Aplicaciones de conmutación
- Aplicaciones en osciladores
Fuentes
http://html.alldatasheet.com/html-pdf/65128/HSMC/HMJE13007/83/1/HMJE13007.html


