Transistor KT315A
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Transistor KT315A. Transistor bipolar de uso general, de baja potencia, construido a base de silicio.
Sumario
Estructura
Está formado por tres cristales de silicio, dos de ellos con impurezas donadoras de electrones, que forman las zonas N y un cristal con impurezas aceptoras de electrones, que forma la zona P. El cristal de tipo P está colocado entre los dos cristales del tipo N. De cada uno de los cristales se extienden un electrodo al exterior del encapsulado, los que constituyen la base, el colector y el emisor.
Es un transistor de uso múltiple y de un amplio rango de frecuencia de trabajo.
Características
- Fabricante: Rusia
- Polaridad: N-P-N
- Corriente máxima de colector: 100 mA
- Voltaje colector emisor máximo: 25 Voltios
- Voltaje emisor base máximo: 6 Voltios
- Frecuencia máxima: 250 MHz
- Potencia colector máxima: 150 mW
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe): 20-90
- Transistor complementario KT361
Usos
- Transmisores de radio
- Radio receptores
- Amplificadores de audio
- Equipos médicos
- Amplificadores de audio
Fuentes
- Manual del instrumentista. Editado por el Centro de Automatización Industrial. Cuba.
- Transistores y diodos soviéticos. Libros y conferencias. Materia 10. La Habana.
