Diodo Shockley
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Diodo Shockley
Es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: uno de bloqueo o de alta impedancia y de conducción o baja impedancia. Hay que tener en cuenta que no es lo mismo que el diodo de barrera Schottky. El diodo Shockley está formado por cuatro capas de semiconductor de tipo N y P, dispuestas alternadamente. Podemos categorizarlo como un tipo de tiristor.
Características Tensión-Intensidad
Shockley para valores negativos del voltaje aplicado, como en un diodo, sólo habrá una corriente muy pequeña hasta que se alcance la tensión de ruptura ( V RB ). En polarización positiva, se impide el paso de corriente hasta que se alcanza un valor de tensión V B0. Una vez alcanzado este punto, el diodo entra en conducción, su tensión disminuye hasta menos de un voltio y la corriente que pasa es limitada, en la práctica, por los componentes externos. La conducción continuará hasta que de algún modo la corriente se reduzca por debajo de la corriente de mantenimiento I H . La corriente que puede atravesar el dispositivo en polarización directa tiene un límite impuesto por el propio componente ( I MAX ), que si se supera llevará a la destrucción del mismo. Por esta razón, será necesario diseñar el circuito en el que se instale este componente de tal modo que no se supere este valor de corriente. Otro parámetro que al superarse puede provocar la ruptura del dispositivo es V RB, ya que provocaría un fenómeno de avalancha similar al de un diodo convencional.
Historia
Este dispositivo fue desarrollado por el físico estadounidense William Bradford Shockley (1910-1989), tras abandonar los Laboratorios Bell y fundar Shockley Semiconductor. Fueron fabricados por Clevite-Shockley. Shockley fue el descubridor del transistor por el que obtuvo el Premio Nobel de Física en 1956.
Partes del componente
- Zona directa (V > 0) 1.1) Región de corte. El diodo se encuentra en corte con unas corrientes muy bajas. En esta región se puede modelar como una resistencia ROFF de valor
1.2) Región de resistencia negativa. Cuando la tensión entre ánodo y cátodo es suficientemente alta se produce la ruptura de la unión con un incremento muy elevado en corriente comportándose el diodo como si fuera una resistencia negativa debido a la realimentación positiva de su estructura.
1.3) Región de saturación o conducción. En esta región, la caída de tensión entre ánodo y cátodo está comprendida entre 0.5V y 1.5V, prácticamente independiente de la corriente. Se mantendrá en este estado siempre que la tensión y corriente alcancen unos valores mínimos conocidos como niveles de mantenimiento definidos por VH e IH.
- Zona inversa (V < 0 ) 2.1) Región de ruptura. El diodo puede soportar una tensión máxima inversa VRSM que superado ese valor entra en conducción debido a fenómenos de ruptura por avalancha.
